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看看艾略特803，这是一款离线的第二代晶体管计算机
了解英国制造的晶体管计算机埃利奥特803…
©英国公开大学(大英yabo亚博网站首页手机百科全书出版合作伙伴）

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NMOS晶体管负通道金属氧化物半导体(NMOS)利用正二次电压将栅极下方的p型半导体材料浅层转换为n型。对于正通道金属氧化物半导体(PMOS)，所有这些极性都是相反的。NMOS晶体管比PMOS晶体管更贵，但速度更快。
NMOS transistorNegative-channel……
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第一个晶体管是由美国物理学家约翰·巴丁、沃尔特·h·布拉顿……
©Windell Oskay, www.evilmadscientist.com (CC BY 2.0)
互补金属氧化物半导体
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互补金属氧化物半导体(CMOS)由一对半导体…
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电子空穴:运动
电子空穴:运动
晶格中电子空穴的运动。
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p-n结
之间的边界形成了一道屏障p类型和n类型半导体…
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正偏p-n结
正向偏压p-n结
增加一个小的初级电压，使电子源(负极)…
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n-p-n晶体管的截面
截面n-p-n晶体管
一个n-p-n晶体管及其电子符号。
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MESFET晶体管在金属半导体场效应晶体管(MESFET)中，电流通常是开的(用于表示“真”或“1”)。二次电压施加到栅极以耗尽其下的载流子，从而掐断电流，或将状态改变为关(“假”或“0”)。
MESFET晶体管在金属半导体中…
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摩尔定律
摩尔定律
摩尔定律。戈登·e·摩尔观察到计算机上晶体管的数量…
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第一个晶体管
第一个晶体管
晶体管是1947年在贝尔实验室发明的，发明人是约翰·巴丁。
朗讯技术公司/贝尔实验室
晶体管是由不同的半导体组成的三明治，上面连着三个电极。由于p-n结点具有独特的电学性质，两个电极之间的电流可以通过改变施加在第三个电极上的电压来打开或关闭，就像开关一样。在所示的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中，电流在源极和漏极之间流动，并由栅极调节。n型半导体区域有多余的电子，但被p型区域彼此分开，p型区域有多余的正电荷，称为“空穴”。如果对栅极(顶部)施加正电压，p区电子将被吸引到氧化物下面的区域，在源极和漏极之间形成负电荷通道。如果对漏极施加正电压，电子流就会流过器件，晶体管就会打开。如果栅极电压被移除(底部)，电子通道被破坏，晶体管关闭。
晶体管是由三种不同的半导体连接在一起的三明治。
©韦氏词典公司。
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