的p- - - - - -n结

一个p类型或n类型半导体本身不是很有用。然而,加入这些相反的材料创造了所谓的p- - - - - -n结。一个p- - - - - -n结形成的障碍传导之间的材料。尽管电子n类型材料的孔所吸引p型材料,电子通常精力充沛不足以克服障碍干预。然而,如果电子在提供额外的能量n类型的材料,他们将跨越障碍的能力p电流也会类型材质。这可以提供额外的能量通过应用一个正电压p类型的材料。带负电荷的电子将被高度积极的电压连接所吸引。

一个p- - - - - -n结时,导电添加到能量n材料被称为正向偏压因为电子向前进洞。如果电压相反的方向正电压连接n一边junction-no电流的流动。的电子n材料仍将吸引正电压,但电压将会与电子相同的障碍。在这种状态下是一个结反向偏置。自p- - - - - -n连接导电只有一个方向,他们是一个类型的二极管。二极管是半导体开关的基本构建块。

场效应晶体管

将负电压接近长地带的中心n类型材料将击退附近的电子材料,从而形成漏洞是,改变一些中间地带p类型的材料。这种变化在极性使用一个电场给出了场效应晶体管。电压时,会存在两个p- - - - - -n沿地带,连接n来p然后从p回n。两个连接中的一个永远是反向偏置。由于反向偏置的连接无法进行,目前不能流经地带。

场效应可以用来创建一个开关(晶体管)关闭当前,仅仅通过应用和删除一个小电压附近,以创建或销毁反向偏置二极管的材料。使用场效应晶体管是由称为场效应晶体管(场效应晶体管)。电压的位置被称为一个门。门口分开晶体管地带的薄层绝缘防止短路流的电子通过半导体从输入(源)电极一个输出(排水)电极。

同样,一个开关可以通过积极的栅电压附近一条p类型的材料。一个正电压吸引电子,从而形成一个地区n在一条p。再创建两个p- - - - - -n连接或二极管。和之前一样,总是会一个二极管反向偏置,将阻止电流流动。

场效应晶体管构建逻辑电路是好,因为他们只需要一个小电流切换期间。不需要电流的晶体管处于打开或关闭状态;电压将保持状态。这种类型的转换可以帮助保护电池寿命。一个场效应晶体管被称为单极(从“极性”),因为主要传导方法的空穴或电子,不是两个。

增强型场效应晶体管

有两种基本类型的场效应晶体管。前面描述的类型是一个耗尽型场效应晶体管,因为一个地区是枯竭的自然。场效应也可以用来创建所谓的增强型场效应晶体管加强一个地区出现类似于周边地区。

一个n类型增强型场效应晶体管是由两个地区n类型材料隔开一个小区域p。场效应晶体管自然包含两个p- - - - - -njunctions-two diodes-it通常关闭。然而,放在门口正电压时,电压吸引电子和创建n型材料在中部地区,填补之前的空缺p类型材料。门电压从而创建了一个连续的区域n在整个地带,允许电流从一边到另一边。这个打开晶体管。同样,一个p类型可以由两个地区的增强型场效应晶体管p类型材料隔开一个小区域n。打开这个晶体管所需的栅电压是负的。增强型场效应晶体管开关速度比耗尽型场效应晶体管,因为他们需要改变只在地表附近在门口,而不是所有的材料。

互补金属氧化物半导体

回想一下,把一个正电压的门口n类型增强模式场效应晶体管开关。门口放置相同的电压p类型增强模式场效应晶体管将关掉开关。同样,在门口放一个负电压将打开n型,p类型。这些场效应晶体管总是相反的反应,或互补给定的栅电压、时尚。因此,如果盖茨的n类型和一个p型场效应晶体管连接任何电压应用于常见的大门将互补的一对,把一个在,另一个了。半导体这双n- - -p这样类型的晶体管被称为互补金属氧化物半导体(CMOS)。因为互补晶体管对两种逻辑状态之间快速切换,cmos逻辑电路中非常有用。特别是,因为只有一个电路在任何时候,cmos需要更少的电力和经常使用电池动力设备,例如数码相机,特殊的记忆,日期,时间,和系统参数在个人电脑。