砷化镓gydF4y2Ba

以砷化镓(GaAs)的形式，用于二极管、激光器和晶体管。gydF4y2Ba

砷化镓(GaAs)可以通过将三个电子从镓转移到砷而形成绝缘体;然而，这并没有发生。相反，键是共价的，砷化镓是一种共价半导体。镓原子的外层提供了三个电子，……gydF4y2Ba

二元晶体如砷化镓(GaAs)是通过类似的方法生长的。一种方法是采用氯化镓(GaCl)作为镓载体。砷是由氯化亚砷(AsCl)等分子提供的gydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba)，胂(AsHgydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba)，或AsgydF4y2Ba_4gydF4y2Ba砷(黄色)。这些分子以氢作为缓冲气体，形成晶体……gydF4y2Ba

砷化铝和砷化镓具有相同的晶体结构和相同的晶格参数，误差在0.1%以内;它们在彼此之间形成极好的晶体。这种材料被称为超晶格，具有重复的结构gydF4y2BangydF4y2BaGaAs层，gydF4y2Ba米gydF4y2Ba层层的唉，gydF4y2BangydF4y2BaGaAs层，…gydF4y2Ba

，氮化镓，氮化镓，砷化镓，砷化镓磷化铟，ingaasp，这些都具有宝贵的半导体和光电子特性。其中一些化合物用于固态器件，如晶体管和整流器，还有一些是发光二极管和半导体激光器的基础。氮化镓纳米线已经合成…gydF4y2Ba

…电路，因此化合物砷化镓(GaAs)常用于mmic。不幸的是，砷化镓在机械性能上远不如硅。它很容易损坏，所以GaAs晶圆的制造成本通常比硅晶圆高得多。gydF4y2Ba

这种半导体被称为砷化镓，或GaAs。然而，其他元素如铟、磷和铝通常用于化合物中以实现特定的性能特征。gydF4y2Ba

磷化镓，特别是砷化镓，有相当一部分以辐射形式出现，其频率ν满足上述关系gydF4y2BahgydF4y2Baν=gydF4y2BaEgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba．在砷化镓中，尽管高达30%的输入电能可作为辐射，900纳米的特征波长在…gydF4y2Ba

在led中最常见的是砷化镓，尽管这种基本化合物有许多变体，如铝砷化镓或铝镓磷化铟。这些化合物是所谓的半导体III-V族的成员，也就是说，由列在第三和第五列的元素组成的化合物。gydF4y2Ba

人们可以生产砷化镓或者用铝代替部分镓或者用磷代替部分砷。当这样做时，材料的电学和光学性质会随着铝含量的增加而不断发生微妙的变化……gydF4y2Ba

例如，砷化镓(GaAs)是一种二元III-V化合物，它是来自第III列的镓(Ga)和来自第V列的砷(As)的组合。gydF4y2Ba

在砷化镓中金属导电杂质的临界浓度比在硅中小100倍。gydF4y2Ba

这种电池是由砷化镓制成的，效率超过20%。1989年，一种聚光太阳能电池通过透镜将太阳光集中到电池表面，由于收集到的能量强度增加，效率达到了37% ....gydF4y2Ba