罗伯特·诺伊斯

罗伯特·诺伊斯,在全罗伯特·诺顿诺伊斯(出生于1927年12月12日,伯灵顿,爱荷华州,美国死于1990年6月3日,奥斯丁德州),美国工程师和coinventor集成电路,系统相互连接的晶体管在一个硅晶片。

教育

1939年,诺伊斯家庭搬到了格林奈尔,爱荷华州,父亲接受公理部长一职,儿子开始演示一个发明家的特质和修理工。诺伊斯主修物理在格林奈尔学院(文学士学位,1949) and earned a doctorate in固态物理的麻省理工学院的(麻省理工学院;博士,1953),相关论文技术他发现最迷人的,晶体管。

肖克利半导体实验室

开发的贝尔实验室1947年,晶体管在诺伊斯的想象力因为他想看到早期一分之一大学物理课。1956年,飞歌公司工作的时候,诺伊斯威廉·肖克利晶体管的诺贝尔奖获得者的发明家之一。肖克利肖克利半导体实验室招聘人员,他的公司已经开始帕洛阿尔托加州生产高速晶体管。诺伊斯的机会,租一个房子在帕洛阿尔托甚至在正式面试之前。

到1957年初,然而,工程师在新公司有反叛和试图迫使肖克利的管理职位,认为他管理不善延迟生产和不利影响士气。诺伊斯和7个同事,在他们中间戈登。摩尔删除肖克利失败后辞职。与他们的领袖诺伊斯,group-labeled“八叛逆”Shockley-successfully与仙童相机和仪器公司组建一个新的公司,飞兆半导体公司位于圣克拉拉。

飞兆半导体公司和集成电路

1958年琼Hoerni,另一个飞兆半导体公司创始人,设计一个过程将一层氧化硅晶体管,密封污垢,尘埃和其他污染物。诺伊斯,Hoerni犯了一个基本的过程创新可能的。当时,仙童生产晶体管和其他元素在大型硅片,降低组件的晶片,后来与电线连接各个组件。然而,随着连接数量的增加,越来越难焊在更小的空间。诺伊斯意识到减少晶片分开是不必要的;相反,他可以制造整个circuit-complete晶体管、电阻、和其他元素一个硅晶片,集成电路(集成电路)。从这个意义上说,诺伊斯和coinventor杰克•基尔比,他是在工作德州仪器公司合并认为,走同样的路线。他们都看到了晶片的重要性,和他们的公司收到专利IC设计和生产的各个方面。但诺伊斯看到更远。诺伊斯看到连接组件的解决问题的办法是蒸发导电金属线(“线”)直接到硅片的表面,这种技术称为平面的过程。基尔比和诺伊斯分享功劳独立发明的集成电路。然而,在诉讼,飞兆半导体公司被授予专利的平面的过程,后续使用的基本技术制造商。专利诺伊斯和仙童都富有。

英特尔公司

1968年,诺伊斯和摩尔离开飞兆半导体公司开始自己的公司。不久他们便加入了安德鲁•格罗夫另一个仙童的同事,形成英特尔公司。英特尔在1971年推出了第一个微处理器,结合在一个硅芯片的电路存储和信息信息处理。英特尔迅速成为微处理器芯片的主要生产商。

诺伊斯英特尔担任总统直到1975年然后董事会主席在1978年下台之前成为半导体产业协会(SIA)的主席。

政治家

新航成立解决日益增长的经济担忧美国半导体行业,特别是对外国竞争。诺伊斯建立中发挥了重要作用Sematech,联合混为一谈财团形成与有时冲突goals-research保持美国半导体行业前沿,努力保持国内半导体制造业能力。诺伊斯成为Sematech Inc .) 1988年第一任总统。

诺伊斯举行16个专利和在1979年被授予“国家科学奖章。终身游泳(前爱荷华州立跳水冠军),诺伊斯的死亡心脏病在1990年后早上游泳。